Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR104ADP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 171,74

(ekskl. moms)

Kr. 214,68

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 17,174Kr. 171,74
50 - 90Kr. 14,332Kr. 143,32
100 - 240Kr. 13,958Kr. 139,58
250 - 490Kr. 13,599Kr. 135,99
500 +Kr. 13,247Kr. 132,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7220
Producentens varenummer:
SiDR104ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SiDR104ADP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM). Den er indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.