Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR104ADP Nej SiDR104ADP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 105,39

(ekskl. moms)

Kr. 131,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 10,539Kr. 105,39
50 - 90Kr. 8,796Kr. 87,96
100 - 240Kr. 8,565Kr. 85,65
250 - 490Kr. 8,348Kr. 83,48
500 +Kr. 8,131Kr. 81,31

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7220
Producentens varenummer:
SiDR104ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SiDR104ADP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM). Den er indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links