Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR104LDP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 199,28

(ekskl. moms)

Kr. 249,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 05. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 9,964Kr. 199,28
100 - 180Kr. 9,758Kr. 195,16
200 - 480Kr. 7,682Kr. 153,64
500 - 980Kr. 7,002Kr. 140,04
1000 +Kr. 6,826Kr. 136,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7222
Producentens varenummer:
SiR104LDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR104LDP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.26mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM). Den er indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.