Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR104LDP Nej SiR104LDP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 143,10

(ekskl. moms)

Kr. 178,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 27. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 7,155Kr. 143,10
100 - 180Kr. 7,005Kr. 140,10
200 - 480Kr. 5,517Kr. 110,34
500 - 980Kr. 5,027Kr. 100,54
1000 +Kr. 4,90Kr. 98,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7222
Producentens varenummer:
SiR104LDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SiR104LDP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

6.25mm

Bredde

1.12 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5.26mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM). Den er indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links