Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR870BDP Nej SiR870BDP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 211,91

(ekskl. moms)

Kr. 264,89

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 21,191Kr. 211,91
50 - 90Kr. 16,972Kr. 169,72
100 - 240Kr. 14,93Kr. 149,30
250 - 490Kr. 14,541Kr. 145,41
500 +Kr. 14,182Kr. 141,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7224
Producentens varenummer:
SiR870BDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR870BDP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

110nC

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.26mm

Højde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.12 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM) og er indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links