Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR220DP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 42.204,00

(ekskl. moms)

Kr. 52.755,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 14,068Kr. 42.204,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7230
Producentens varenummer:
SIDR220DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

SiDR220DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.58mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

200nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

16 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 25 V (D-S) MOSFET har optimeret QG, Qgd, og Qgd/Qgs-forholdet reducerer skifterelateret effekttab.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links