Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR220DP
- RS-varenummer:
- 204-7230
- Producentens varenummer:
- SIDR220DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 45.003,00
(ekskl. moms)
Kr. 56.253,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 15,001 | Kr. 45.003,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7230
- Producentens varenummer:
- SIDR220DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiDR220DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 200nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiDR220DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 200nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 25 V (D-S) MOSFET har optimeret QG, Qgd, og Qgd/Qgs-forholdet reducerer skifterelateret effekttab.
100 % Rg og UIS-testet
TrenchFET Gen IV Power MOSFET