Vishay N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR220DP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 297,93

(ekskl. moms)

Kr. 372,41

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 10Kr. 29,793Kr. 297,93
20 - 40Kr. 24,145Kr. 241,45
50 - 90Kr. 22,35Kr. 223,50
100 - 240Kr. 20,862Kr. 208,62
250 +Kr. 19,964Kr. 199,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7232
Producentens varenummer:
SIDR220DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiDR220DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.58mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

200nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Bredde

5.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 25 V (D-S) MOSFET har optimeret QG, Qgd, og Qgd/Qgs-forholdet reducerer skifterelateret effekttab.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.