Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR392DP
- RS-varenummer:
- 204-7234
- Producentens varenummer:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 389,04
(ekskl. moms)
Kr. 486,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 19,452 | Kr. 389,04 |
| 40 - 80 | Kr. 18,869 | Kr. 377,38 |
| 100 - 180 | Kr. 18,091 | Kr. 361,82 |
| 200 - 480 | Kr. 17,118 | Kr. 342,36 |
| 500 + | Kr. 16,15 | Kr. 323,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7234
- Producentens varenummer:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiDR392DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 188nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiDR392DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 188nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 30 V (D-S) MOSFET har en top side-kølefunktion, der giver ekstra plads til termisk overførsel. Den har optimeret QG, Qgd og Qgd/Qgs-forhold, hvilket reducerer skift af relateret effekttab.
100 % Rg og UIS-testet
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, SiDR392DP
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8
- Vishay N-kanal-Kanal 373 A 60 V Forbedring SO-8SW, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring SO-8, SiR104LDP
- Vishay Type N-Kanal 165 A 60 V Forbedring SO-8, SiR626ADP
- Vishay Type N-Kanal 137 A 80 V Forbedring SO-8, SiDR680ADP