Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR392DP

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 259,18

(ekskl. moms)

Kr. 323,98

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 +Kr. 12,959Kr. 259,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7234
Producentens varenummer:
SIDR392DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SiDR392DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.62mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

188nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 30 V (D-S) MOSFET har en top side-kølefunktion, der giver ekstra plads til termisk overførsel. Den har optimeret QG, Qgd og Qgd/Qgs-forhold, hvilket reducerer skift af relateret effekttab.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links