Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR392DP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 338,54

(ekskl. moms)

Kr. 423,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 20Kr. 16,927Kr. 338,54
40 - 80Kr. 16,423Kr. 328,46
100 - 180Kr. 15,746Kr. 314,92
200 - 480Kr. 14,897Kr. 297,94
500 +Kr. 14,051Kr. 281,02

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7234
Producentens varenummer:
SIDR392DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiDR392DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.62mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

188nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 30 V (D-S) MOSFET har en top side-kølefunktion, der giver ekstra plads til termisk overførsel. Den har optimeret QG, Qgd og Qgd/Qgs-forhold, hvilket reducerer skift af relateret effekttab.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links