Vishay N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR392DP
- RS-varenummer:
- 204-7233
- Producentens varenummer:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 204-7233
- Producentens varenummer:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SiDR392DP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.62mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 188nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SiDR392DP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.62mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 188nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.15mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 30 V (D-S) MOSFET har en top side-kølefunktion, der giver ekstra plads til termisk overførsel. Den har optimeret QG, Qgd og Qgd/Qgs-forhold, hvilket reducerer skift af relateret effekttab.
100 % Rg og UIS-testet
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, SiDR392DP
- Vishay Siliconix N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8
- Vishay N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 77.4 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 334 A 60 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 65 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET