Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR140DP Nej SIDR140DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 259,48

(ekskl. moms)

Kr. 324,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 25,948Kr. 259,48
50 - 90Kr. 21,011Kr. 210,11
100 - 240Kr. 19,463Kr. 194,63
250 - 490Kr. 18,161Kr. 181,61
500 +Kr. 17,384Kr. 173,84

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7236
Producentens varenummer:
SIDR140DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

SiDR140DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.67mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

113nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.15 mm

Længde

6.15mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.61mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 25 V (D-S) MOSFET har en top side køling funktion giver ekstra plads til termisk overførsel. Den har optimeret QG, Qgd og Qgd/Qgs-forhold, hvilket reducerer skift af relateret effekttab.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links