Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR140DP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 41.043,00

(ekskl. moms)

Kr. 51.303,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 13,681Kr. 41.043,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7235
Producentens varenummer:
SIDR140DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

SiDR140DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.67mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

113nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.61mm

Længde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 25 V (D-S) MOSFET har en top side køling funktion giver ekstra plads til termisk overførsel. Den har optimeret QG, Qgd og Qgd/Qgs-forhold, hvilket reducerer skift af relateret effekttab.

100 % Rg og UIS-testet

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Relaterede links