Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 67.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR882BDP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 13.758,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.196,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 27. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,586Kr. 13.758,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
210-5006
Producentens varenummer:
SiR882BDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

67.5A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR882BDP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

54nC

Effektafsættelse maks. Pd

83.3W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.26 mm

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links