Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 90,12

(ekskl. moms)

Kr. 112,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.965 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 18,024Kr. 90,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4970
Producentens varenummer:
SIHB15N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-263

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

304mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

158W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

14.61mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.65 mm

Højde

4.06mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har D2PAK (TO-263) hustype med 13 A drænstrøm.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links