Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 90,12

(ekskl. moms)

Kr. 112,65

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.965 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 18,024Kr. 90,12

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4970
Producentens varenummer:
SIHB15N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-263

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

304mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35nC

Effektafsættelse maks. Pd

158W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.06mm

Længde

14.61mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har D2PAK (TO-263) hustype med 13 A drænstrøm.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.