Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

RS-varenummer:: 210-4970
Producentens varenummer:: SIHB15N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 13 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 90,12

(ekskl. moms)

Kr. 112,65

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

2.965 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 18,024	Kr. 90,12

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 210-4970
Producentens varenummer:: SIHB15N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	13A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	304mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	30V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	156W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	35nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	14.61mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	9.65mm
	Højde	4.06mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Emballagetype TO-263
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 304mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 30V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 156W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 14.61mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 9.65mm
	Højde 4.06mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHB15N80AE

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V drain-kildespænding, 13 A kontinuerlig drain-strøm - SIHB15N80AE-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er beregnet til strømswitching i industriel elektronik. Den er designet til overflademontering i TO-263-pakker og fungerer over et bredt termisk område til krævende anvendelser, hvor robust spændingshåndtering og kompakt montering er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 13 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 304 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 35 nC typisk gate-ladning muliggør effektiv omskiftningskontrol • 30 V maks. portdrev passer til almindelige portdrevspændinger • 156 W effekttab forbedrer termisk håndtering under belastning

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsmotordrevstrin i automatiseringssystemer • Ideel til strømforsyninger, der kræver kompakte overflademonterede kontakter • Anvendes til industrielle inverter- og konverterkoblingsopgaver • Kan bruges til højspændingsbeskyttelse og klemmekredsløb

Hvilket temperaturområde kan den fungere i?

Den fungerer fra -55 °C op til en maksimal samletemperatur på 150 °C til miljøer med høje temperaturer.

Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?

Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademonteret installation på kort.

Hvilke portdrevbegrænsninger skal designere overholde?

Enheden må ikke overstige en gate-til-kilde-spænding på 30 V for at undgå gate-belastning.

Hvordan påvirker dens effekttab termisk design?

156 W-normeringen vejleder kølelegeme og tildeling af printkobber for at holde samlingstemperaturer inden for grænserne.

Hvilken benkonfiguration medfølger?

Komponenten tilbyder en trebenet arrangement, der er kompatibel med standard Power MOSFET-layouts.