Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E Nej SIHB17N80AE-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 87,97

(ekskl. moms)

Kr. 109,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 735 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 17,594Kr. 87,97

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4972
Producentens varenummer:
SIHB17N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

15A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

E

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

250mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

41nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

14.61mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.06mm

Bredde

9.65 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har D2PAK (TO-263) hustype med 15 A drænstrøm.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Færre skift og ledningstab

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links