Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

RS-varenummer:: 210-4972
Producentens varenummer:: SIHB17N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 15 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, E

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 87,97

(ekskl. moms)

Kr. 109,96

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

735 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 17,594	Kr. 87,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 210-4972
Producentens varenummer:: SIHB17N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	15A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	250mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	41nC
	Effektafsættelse maks. Pd	179W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	9.65mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	4.06mm
	Længde	14.61mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 15A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Emballagetype TO-263
	Serie E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 250mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 41nC
	Effektafsættelse maks. Pd 179W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 9.65mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 4.06mm
	Længde 14.61mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V drain-kildespænding, 15 A kontinuerlig drain-strøm - SIHB17N80AE-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsroller i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer som en forstærkningstransistor og leveres i en TO-263 overflademonteret pakke til brug på beboede printkort. Komponenten er beregnet til anvendelser, der kræver håndtering af høj drain-source-spænding og kompakt termisk styring.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 15 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 250 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 179 W effekttabskapacitet hjælper med termisk stabilitet
• 41 nC typisk gate-ladning sikrer hurtigere skifteovergange
• Vgs-grænse på 30 V beskytter porten mod overspænding

Anvendelser

• Velegnet til SMPS-højspænding på primær side
• Ideel til omskiftning af industrielle motordrev og -trin
• Anvendes til effektfaktorkorrektion-front-end-omformere
• Kan bruges til inverter- og UPS-højspændingssektioner

Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?

Den fungerer i ekstreme omgivelser fra -55 °C til en maksimal driftstemperatur på 150 °C, hvilket er velegnet til miljøer med høje temperaturer.

Hvor mange elektriske forbindelser har den til printkortet?

Enheden giver tre elektriske ben i overensstemmelse med almindelig MOSFET-topologi til drain-, gate- og kildetilslutninger.

Hvilke emballeringsbetingelser påvirker varmeafledning?

TO-263-pakken til overflademontering giver en lavprofil termisk sti til printkortet og er beregnet til fastgørelse til en passende størrelse kobberjord til varmespredning.

Er den velegnet til bilkvalitetsdesign?

Den er ikke specificeret som kompatibel med bilstandarden og bør evalueres i overensstemmelse hermed til køretøjsanvendelser.