Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, E Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 629,80

(ekskl. moms)

Kr. 787,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.700 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
100 - 240Kr. 6,298
250 - 490Kr. 6,141
500 - 990Kr. 5,969
1000 +Kr. 5,827

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4997P
Producentens varenummer:
SIHU2N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.9A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

E

Emballagetype

IPAK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.5Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10.5nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.18mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.73mm

Bredde

6.22 mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har IPAK (TO-251) hustype.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (CISS)

Færre skift og ledningstab

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse

Relaterede links