Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 430 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 81,68

(ekskl. moms)

Kr. 102,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 16,336Kr. 81,68
50 - 120Kr. 14,706Kr. 73,53
125 - 245Kr. 11,758Kr. 58,79
250 - 495Kr. 9,634Kr. 48,17
500 +Kr. 8,676Kr. 43,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4999
Producentens varenummer:
SIR178DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

430A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.31mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

204nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 20 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype med 430 A drænstrøm.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)

Ledelses-RDS(ON) minimerer effekttab fra ledning

2,5 V mærkeværdier og drift ved lavspændings gate-drev

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.