Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 430 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8 Nej SIR178DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 83,70

(ekskl. moms)

Kr. 104,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 16,74Kr. 83,70
50 - 120Kr. 15,064Kr. 75,32
125 - 245Kr. 12,042Kr. 60,21
250 - 495Kr. 9,874Kr. 49,37
500 +Kr. 8,872Kr. 44,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4999
Producentens varenummer:
SIR178DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

430A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.31mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

204nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Bredde

5.26 mm

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 20 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype med 430 A drænstrøm.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)

Ledelses-RDS(ON) minimerer effekttab fra ledning

2,5 V mærkeværdier og drift ved lavspændings gate-drev

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links