MPN

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 430 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8

Name: Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 430 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8
Brand: Vishay
SKU: 210-4999
Availability: BackOrder

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 94,17

(ekskl. moms)

Kr. 117,71

(inkl. moms)

Midlertidigt ikke på lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

*Vejledende pris

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	430A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.31mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	204nC
	Effektafsættelse maks. Pd	104W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	1.12mm
	Længde	6.25mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 430A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SO-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.31mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 204nC
	Effektafsættelse maks. Pd 104W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 1.12mm
	Længde 6.25mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Vishay N-kanal 20 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype med 430 A drænstrøm.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)

Ledelses-RDS(ON) minimerer effekttab fra ledning

2,5 V mærkeværdier og drift ved lavspændings gate-drev

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.