Infineon 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6.6 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 136,52

(ekskl. moms)

Kr. 170,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 6,826Kr. 136,52
100 - 180Kr. 6,489Kr. 129,78
200 - 480Kr. 6,216Kr. 124,32
500 - 980Kr. 5,943Kr. 118,86
1000 +Kr. 5,532Kr. 110,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-2583
Elfa Distrelec varenummer:
304-39-415
Producentens varenummer:
IRF7311TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SO-8

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

29mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Portkildespænding maks.

12 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gennemgangsspænding Vf

0.72V

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-serien af femte generation af HEXFET fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand i Silicon-området. Disse fordele kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET er kendt for, giver en enhed med tilstrækkeligt niveau til, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. SO-8 er blevet ændret gennem en tilpasset ledningsramme for forbedrede termiske egenskaber og mulighed for flere matricer, hvilket gør den ideel til en lang række anvendelser. Med denne forbedring kan flere enheder bruges i en applikation med markant reduceret kortplads. Pakken er designet til dampfase, infrarød til bølgelodningsteknikker.

Generation V-teknologi

Meget lav modstand

Overflademontering

Fuldt lavinenominel

Dobbelt N-kanal MOSFET

Relaterede links