Infineon 1 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 6.6 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-varenummer:
- 215-2583
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-415
- Producentens varenummer:
- IRF7311TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 130,08
(ekskl. moms)
Kr. 162,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | Kr. 6,504 | Kr. 130,08 |
| 100 - 180 | Kr. 6,179 | Kr. 123,58 |
| 200 - 480 | Kr. 5,921 | Kr. 118,42 |
| 500 - 980 | Kr. 5,659 | Kr. 113,18 |
| 1000 + | Kr. 5,27 | Kr. 105,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-2583
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-415
- Producentens varenummer:
- IRF7311TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.72V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Bredde | 4mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.72V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Bredde 4mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien af femte generation af HEXFET fra International Rectifier anvender Advanced Processing-teknikker til at opnå ekstremt lav modstand i Silicon-området. Disse fordele kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET er kendt for, giver en enhed med tilstrækkeligt niveau til, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser. SO-8 er blevet ændret gennem en tilpasset ledningsramme for forbedrede termiske egenskaber og mulighed for flere matricer, hvilket gør den ideel til en lang række anvendelser. Med denne forbedring kan flere enheder bruges i en applikation med markant reduceret kortplads. Pakken er designet til dampfase, infrarød til bølgelodningsteknikker.
Generation V-teknologi
Meget lav modstand
Overflademontering
Fuldt lavinenominel
Dobbelt N-kanal MOSFET
Relaterede links
- Infineon 1 N-Kanal Dobbelt 6.6 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 N-Kanal Dobbelt 10 A 20 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 N-Kanal Dobbelt 21 A 30 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon 1 N-Kanal Dobbelt 3 A 50 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 5.1 A 55 V Forbedring SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, HEXFET
- Infineon Type P-Kanal -4 A -30 V Dobbelt SO-8, HEXFET