Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS Nej IPD80R2K8CEATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 89,985

(ekskl. moms)

Kr. 112,485

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.875 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 5,999Kr. 89,99
75 - 135Kr. 5,695Kr. 85,43
150 - 360Kr. 5,455Kr. 81,83
375 - 735Kr. 5,216Kr. 78,24
750 +Kr. 4,857Kr. 72,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
222-4675
Producentens varenummer:
IPD80R2K8CEATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.9A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

CoolMOS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.8Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

42W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.41mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.

Grønt produkt (RoHS kompatibel)

MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101

OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler

Relaterede links