Infineon N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS
- RS-varenummer:
- 222-4675
- Producentens varenummer:
- IPD80R2K8CEATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 101,13
(ekskl. moms)
Kr. 126,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.875 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 6,742 | Kr. 101,13 |
| 75 - 135 | Kr. 6,408 | Kr. 96,12 |
| 150 - 360 | Kr. 6,139 | Kr. 92,09 |
| 375 - 735 | Kr. 5,864 | Kr. 87,96 |
| 750 + | Kr. 5,465 | Kr. 81,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 222-4675
- Producentens varenummer:
- IPD80R2K8CEATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 42W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.41mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 42W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.41mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-designet af MOSFET'er, også kendt som MOSFET-transistorer, står for 'metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistorer'. MOSFET'er er transistorenheder, der styres af en kondensator. "Felteffekt" betyder, at de styres af spænding. Formålet med en MOSFET er at styre strømmen, der passerer gennem kilden til drænterminalerne.
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MSL1 op til 260 °C peak reflow AEC Q101
OptiMOS™-Power MOSFET til brug i biler
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 1.9 A 80 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS P7
- Infineon N-Kanal 90 A 80 V Forbedring TO-252, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.9 A 800 V Forbedring SOT-223, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 9 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-252, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 51 A 650 V Forbedring TO-252, CoolMOS