Infineon N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SN7002I
- RS-varenummer:
- 225-0584
- Producentens varenummer:
- SN7002IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 66,40
(ekskl. moms)
Kr. 83,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 0,664 | Kr. 66,40 |
| 500 - 900 | Kr. 0,431 | Kr. 43,10 |
| 1000 - 2400 | Kr. 0,405 | Kr. 40,50 |
| 2500 - 4900 | Kr. 0,38 | Kr. 38,00 |
| 5000 + | Kr. 0,297 | Kr. 29,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 225-0584
- Producentens varenummer:
- SN7002IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | SN7002I | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Højde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie SN7002I | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.1mm | ||
Højde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon SN7002I er det lille signal, og små N- og P-kanal MOSFET'er leverer et bredt udvalg af VGS-niveauer og RDS(on)-værdier samt flere spændingsklasser. Denne MOSFET har funktioner til forbedring og reduktion.
PCB-plads og omkostningsbesparelser
Fleksibilitet for bagportdrev
Reduceret designkompleksitet
Miljøvenlig
Høj samlet effektivitet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SN7002I
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS
- Infineon N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 1.2 A 60 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 2.7 A 60 V Forbedring SOT-23, HEXFET
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 0.3 A 60 V Forbedring SOT-23, BSS AEC-Q101