Vishay 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler, MOSFET, 13.1 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 15.615,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.518,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 15.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,205Kr. 15.615,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2826
Producentens varenummer:
Si7252ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13.1A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

18.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

100V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.1nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Mosfet med to N-kanaler

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

PWM-optimeret

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links