Vishay 2 Type N-Kanal Mosfet med to N-kanaler, MOSFET, 13.1 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 63,80

(ekskl. moms)

Kr. 79,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 15.885 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,76Kr. 63,80
50 - 120Kr. 12,132Kr. 60,66
125 - 245Kr. 10,218Kr. 51,09
250 - 495Kr. 9,59Kr. 47,95
500 +Kr. 8,916Kr. 44,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2827
Producentens varenummer:
Si7252ADP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13.1A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

18.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.1nC

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

100V

Transistorkonfiguration

Mosfet med to N-kanaler

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

PWM-optimeret

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links