Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E Nej SIHA24N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 34,56

(ekskl. moms)

Kr. 43,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 668 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 17,28Kr. 34,56
20 - 48Kr. 15,52Kr. 31,04
50 - 98Kr. 14,66Kr. 29,32
100 - 198Kr. 13,84Kr. 27,68
200 +Kr. 12,79Kr. 25,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2837
Producentens varenummer:
SIHA24N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-220

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

184mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

35W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links