Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, E Nej SIHA24N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 34,56

(ekskl. moms)

Kr. 43,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 668 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 17,28Kr. 34,56
20 - 48Kr. 15,52Kr. 31,04
50 - 98Kr. 14,66Kr. 29,32
100 - 198Kr. 13,84Kr. 27,68
200 +Kr. 12,79Kr. 25,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2837
Producentens varenummer:
SIHA24N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Emballagetype

TO-220

Serie

E

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

184mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

35W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links