Vishay 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 32.5 A 70 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2934
- Producentens varenummer:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 12.906,00
(ekskl. moms)
Kr. 16.134,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 4,302 | Kr. 12.906,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2934
- Producentens varenummer:
- SiZ254DT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 32.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAIR 3 x 3S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0161Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 32.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAIR 3 x 3S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0161Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay dobbelt N-kanal 70 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 32.5 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 31.8 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 69.3 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 48 A 40 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 19.1 A 100 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, SiZ270DT
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 257 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Dobbelt 258 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay Siliconix 2 N-Kanal Dobbelt 30 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET