STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V, 7 ben, H2PAK-7 SCTH60N120G2-7

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
233-0471
Producentens varenummer:
SCTH60N120G2-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

60 A

Drain source spænding maks.

1200 V

Kapslingstype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks.

0.052 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

5V

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Silicium

STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode.
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Kildesensorstift for øget effektivitet

Relaterede links