Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Udtømning, 3 Ben, TO-263, EF AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8626
- Producentens varenummer:
- SIHB055N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.584,10
(ekskl. moms)
Kr. 1.980,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 950 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 31,682 | Kr. 1.584,10 |
| 100 + | Kr. 29,781 | Kr. 1.489,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8626
- Producentens varenummer:
- SIHB055N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.05Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.05Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay EF-serien er power MOSFET med hurtig husdiode. Denne MOSFET, der bruges til server- og telekommunikationsstrømforsyning, svejsning og motordrev.
Generation af teknologi i E-serien
Lav effektiv kapacitet
Lavt skift og ledningstab
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 46 A 650 V Udtømning TO-263, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 95 A 650 V Udtømning TO-247, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6 A 850 V Udtømning TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 6.5 A 850 V Udtømning TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 7 A 850 V Udtømning TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 26 A 650 V Udtømning PowerPAK 8 x 8 L, EF AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 19 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12 AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Udtømning PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
