Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 1.9 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, ISP AEC-Q101 ISP25DP06NMXTSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 5,78

(ekskl. moms)

Kr. 7,225

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 235 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 1,156Kr. 5,78
50 - 120Kr. 0,942Kr. 4,71
125 - 245Kr. 0,882Kr. 4,41
250 - 495Kr. 0,822Kr. 4,11
500 +Kr. 0,762Kr. 3,81

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
243-9275
Producentens varenummer:
ISP25DP06NMXTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.9A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-223

Serie

ISP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon P-kanal lille signaltransistor har blyfri blybelægning. Drænstrømmen og drænkildespændingen for MOSFET er henholdsvis -1,9 A og -60V. Den har meget lav modstandsværdi. Driftstemperaturen er mellem -55 og 150 grader C.

Overflademonteret teknologi

Tilgængelighed på logikniveau

Nem interface til mikrokontrollerenhed (MCU)

Hurtigt skift

lavine-robusthed

Relaterede links