onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, NTB AEC-Q101 NTBG022N120M3S

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 103,64

(ekskl. moms)

Kr. 129,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 783 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 103,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
254-7661
Producentens varenummer:
NTBG022N120M3S
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

58A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

TO-263

Serie

NTB

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

22mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

4.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

117W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

148nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Siliciumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L


ON Semiconductor NTB serien af planar sic MOSFET'er er optimeret til hurtige skifteanvendelser med planar teknologi, der fungerer pålideligt med negativ gate-spændingsdrev og slukke for spidser på gaten. Denne serie har optimal ydeevne, når den drives med 18 V gate-drev, men fungerer også godt med 15 V gate-drev.

100 % lavine-testet forbedret strømtæthed Gate-drevspænding 15 V til 18 V

Relaterede links