Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT, SN7002N
- RS-varenummer:
- 258-4029
- Producentens varenummer:
- SN7002NH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 10,47
(ekskl. moms)
Kr. 13,09
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 6.640 enhed(er) afsendes fra 28. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,047 | Kr. 10,47 |
| 100 - 490 | Kr. 0,995 | Kr. 9,95 |
| 500 - 990 | Kr. 0,628 | Kr. 6,28 |
| 1000 - 2490 | Kr. 0,583 | Kr. 5,83 |
| 2500 + | Kr. 0,464 | Kr. 4,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-4029
- Producentens varenummer:
- SN7002NH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SN7002N | |
| Emballagetype | SOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.15nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SN7002N | ||
Emballagetype SOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.15nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon SIPMOS transistor med lille signal er kvalificeret iht. AEC Q101 og halogenfri iht. IEC61249-2-21.
N-kanal
Forbedringstilstand
dv/dt mærkeværdi