Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 128 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiRA
- RS-varenummer:
- 268-8338
- Producentens varenummer:
- SiRA54ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 75,85
(ekskl. moms)
Kr. 94,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 15,17 | Kr. 75,85 |
| 50 - 95 | Kr. 13,658 | Kr. 68,29 |
| 100 - 245 | Kr. 11,01 | Kr. 55,05 |
| 250 - 995 | Kr. 10,802 | Kr. 54,01 |
| 1000 + | Kr. 7,466 | Kr. 37,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8338
- Producentens varenummer:
- SiRA54ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 128A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiRA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0022Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 128A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiRA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0022Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET er en bly- og halogenfri enhed. Det er en enkelt konfigurationsenhed, og den anvendes som synkron ensretning og motordrevstyring.
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 128 A 40 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiRA
- Vishay Type N-Kanal 26.8 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 73 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Type N-Kanal 80.3 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 227 A 60 V Forbedring PowerPAK SO-8DC, SIDR
- Vishay Type N-Kanal 421 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8DC AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 60 A 30 V PowerPAK SO-8 SIR158DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 24.7 A 80 V, PowerPAK SO-8