Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 331 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT Nej IPT014N08NM5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 44,45

(ekskl. moms)

Kr. 55,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 100 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 44,45
50 - 99Kr. 40,39
100 - 249Kr. 36,95
250 - 999Kr. 34,11
1000 +Kr. 31,72

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-2792
Producentens varenummer:
IPT014N08NM5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

331A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

160nC

Portkildespænding maks.

10 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon MOSFET er en N-kanal 80 V MOSFET og er optimeret til batteridrevne applikationer. Den er kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målapplikationer. Denne MOSFET er fuldt kvalificeret iht. JEDEC til industrielle anvendelser og halogenfri iht. IEC61249 2 21.

I overensstemmelse med RoHS

Blyfri blybelægning

Fremragende gate opladning

Meget lav modstand ved tænding

100 procent lavintestet

Relaterede links