Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO251-3, IPU

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 611,325

(ekskl. moms)

Kr. 764,175

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.425 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 - 75Kr. 8,151Kr. 611,33
150 +Kr. 7,564Kr. 567,30

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3023
Producentens varenummer:
IPU95R750P7AKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9A

Drain source spænding maks. Vds

950V

Emballagetype

PG-TO251-3

Serie

IPU

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.75Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Effektafsættelse maks. Pd

73W

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS, JEDEC

Bilindustristandarder

Nej

Infineons effekt-MOSFET er designet til at opfylde de voksende forbrugerbehov i højspændings-MOSFET-arenaen, den nyeste 950 V Cool MOS P7-teknologi fokuserer på markedet for SMPS med lavt strømforbrug. Den integrerede diode forbedrer ESD-robustheden betydeligt, hvilket reducerer

Let at drive og at designe i

Bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl

Færre produktionsproblemer og reduceret returnering i marken

Relaterede links