Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO251-3, IPU Nej
- RS-varenummer:
- 273-3024
- Producentens varenummer:
- IPU95R750P7AKMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 62,10
(ekskl. moms)
Kr. 77,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.490 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 12,42 | Kr. 62,10 |
| 10 - 20 | Kr. 11,28 | Kr. 56,40 |
| 25 - 45 | Kr. 10,352 | Kr. 51,76 |
| 50 - 95 | Kr. 9,59 | Kr. 47,95 |
| 100 + | Kr. 8,856 | Kr. 44,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3024
- Producentens varenummer:
- IPU95R750P7AKMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 950V | |
| Emballagetype | PG-TO251-3 | |
| Serie | IPU | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.75Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 73W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 950V | ||
Emballagetype PG-TO251-3 | ||
Serie IPU | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.75Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 73W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET er designet til at opfylde de voksende forbrugerbehov i højspændings-MOSFET-arenaen, den nyeste 950 V Cool MOS P7-teknologi fokuserer på markedet for SMPS med lavt strømforbrug. Den integrerede diode forbedrer ESD-robustheden betydeligt, hvilket reducerer
Let at drive og at designe i
Bedre produktionsudbytte ved at reducere ESD-relaterede fejl
Færre produktionsproblemer og reduceret returnering i marken
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 1899-12-31 09:00:00 950 V TO-251 IPU95R750P7AKMA1
- Infineon, MOSFET IPI076N15N5AKSA1
- Infineon, MOSFET IPD079N06L3GATMA1
- Infineon, MOSFET IST011N06NM5AUMA1
- Infineon, MOSFET IPP039N10N5AKSA1
- Infineon, MOSFET IPD046N08N5ATMA1
- Infineon, MOSFET IPT029N08N5ATMA1
- Infineon, MOSFET IPB65R115CFD7AATMA1
