Vishay N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- RS-varenummer:
- 279-9916
- Producentens varenummer:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 39,20
(ekskl. moms)
Kr. 49,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 39,20 |
| 50 - 99 | Kr. 38,52 |
| 100 - 249 | Kr. 38,15 |
| 250 - 999 | Kr. 37,25 |
| 1000 + | Kr. 36,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9916
- Producentens varenummer:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | SIHH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.159Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie SIHH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.159Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHH seriens MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 18 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHH155N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til effektkobling i overflademonterede enheder. Den kombinerer en robust mærkespænding med en betydelig kontinuerlig strømkapacitet og er beregnet til kredsløb, der kræver effektiv omskiftning og termisk tolerance over et bredt omgivende område.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-klassificering, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 18 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter drift med kraftig belastning
• 0,159 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 156 W effekttab hjælper med at håndtere højere effekt
• 38 nC typisk gate-ladning til kontrollerede skifteovergange
• 30 V gate-source-klassificering muliggør standard gate-drive-spændinger
• 18 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter drift med kraftig belastning
• 0,159 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 156 W effekttab hjælper med at håndtere højere effekt
• 38 nC typisk gate-ladning til kontrollerede skifteovergange
• 30 V gate-source-klassificering muliggør standard gate-drive-spændinger
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrev, frontender
• Ideel til højspændingsstrømomformere og invertere
• Anvendes sammen med synkron ensretning og koblingstrin
• Kan bruges til LED-driverkredsløb med høj effekt
• Anvendes i højspændingstest- og måleudstyr
• Ideel til højspændingsstrømomformere og invertere
• Anvendes sammen med synkron ensretning og koblingstrin
• Kan bruges til LED-driverkredsløb med høj effekt
• Anvendes i højspændingstest- og måleudstyr
Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?
Den fungerer over et bredt område fra -55 °C til 150 °C og kan rumme kolde starter og høje driftstemperaturer.
Hvilken emballage- og monteringsmetode bruger den til printkortmontering?
Den leveres i en PowerPAK 8x8-pakke til overflademontering, der er designet til kortmontering med lav profil og effektiv termisk kontakt.
Hvor mange ben er tilgængelige til tilslutning og styring?
Fire ben leveres til implementering af drain-, source- og gate-tilslutninger i standard MOSFET-konfigurationer.
Hvad er enhedens fremadgående spændingsegenskaber, der er relevante for diodeledning?
Den indbyggede diode udviser en typisk fremadgående spænding på 1,2 V under ledningshændelser.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-Kanal 47 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-Kanal 33 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-Kanal 40 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-Kanal 48 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH