Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- RS-varenummer:
- 279-9916
- Producentens varenummer:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 39,20
(ekskl. moms)
Kr. 49,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 39,20 |
| 50 - 99 | Kr. 38,52 |
| 100 - 249 | Kr. 38,15 |
| 250 - 999 | Kr. 37,25 |
| 1000 + | Kr. 36,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9916
- Producentens varenummer:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PowerPAK 8 x 8 L | |
| Serie | SIHH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.159Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 156W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PowerPAK 8 x 8 L | ||
Serie SIHH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.159Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 156W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET med Fast Body-diode, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
4. generation af E-seriens teknologi
Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet
Avalanche-energimærke
Reduceret skifte- og ledningstab
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay Type N-Kanal 13 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, SIHH
- Vishay N-kanal-Kanal 33 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 47 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 42 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay N-kanal-Kanal 40 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SiH
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK