Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 1.15 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2328DS
- RS-varenummer:
- 710-3266
- Producentens varenummer:
- SI2328DS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 71,43
(ekskl. moms)
Kr. 89,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 730 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,143 | Kr. 71,43 |
| 100 - 240 | Kr. 5,423 | Kr. 54,23 |
| 250 - 490 | Kr. 5,012 | Kr. 50,12 |
| 500 - 990 | Kr. 4,294 | Kr. 42,94 |
| 1000 + | Kr. 3,725 | Kr. 37,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3266
- Producentens varenummer:
- SI2328DS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2328DS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 730mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2328DS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 730mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 1.15 A 100 V Forbedring SOT-23, Si2328DS
- Vishay Enkelt Type N MOSFET 3 Ben, SOT-23
- Vishay Type N-Kanal 2.3 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 530 mA 150 V Forbedring SOT-23, Si2325DS
- Vishay Type P-Kanal 0.19 A 60 V Forbedring SOT-23, TP0610K
- Vishay Type N-Kanal 1.8 A 100 V Forbedring SOT-23, SI
- Vishay Type N-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
