Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 1.15 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2328DS Nej SI2328DS-T1-E3
- RS-varenummer:
- 710-3266
- Producentens varenummer:
- SI2328DS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 59,69
(ekskl. moms)
Kr. 74,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 760 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,969 | Kr. 59,69 |
| 100 - 240 | Kr. 4,533 | Kr. 45,33 |
| 250 - 490 | Kr. 4,181 | Kr. 41,81 |
| 500 - 990 | Kr. 3,583 | Kr. 35,83 |
| 1000 + | Kr. 3,112 | Kr. 31,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3266
- Producentens varenummer:
- SI2328DS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.15A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | Si2328DS | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 730mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.15A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie Si2328DS | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 730mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 SI2328DS-T1-E3
- Vishay N-Kanal 1 3 ben, SOT-23 SI2328DS-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben, SOT-23 SI2302CDS-T1-E3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben TrenchFET SI2308BDS-T1-E3
- Vishay P-Kanal 530 mA 150 V SOT-23 SI2325DS-T1-E3
- Vishay P-Kanal 185 mA 60 V SOT-23 TP0610K-T1-E3
- Vishay P-Kanal 3 3 ben TrenchFET SI2301CDS-T1-E3
- Vishay P-Kanal 2.2 A 20 V SOT-23 SI2301BDS-T1-E3
