onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q101 NTJD5121NT1G
- RS-varenummer:
- 780-0627
- Producentens varenummer:
- NTJD5121NT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 38,05
(ekskl. moms)
Kr. 47,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 28.950 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 0,761 | Kr. 38,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0627
- Producentens varenummer:
- NTJD5121NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 266mW | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 266mW | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363 NTJD5121NT1G
- onsemi N-Kanal 115 mA 60 V SOT-363 2N7002DW
- Nexperia N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363 2N7002BKS,115
- Infineon N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363, OptiMOS™ 2N7002DWH6327XTSA1
- Toshiba N-Kanal 300 mA 60 V SOT-363 AEC-Q101 SSM6N7002KFU
- onsemi N-Kanal 300 mA 60 V SOT-323 2N7002KW
- onsemi N-Kanal 300 mA 60 V SOT-23 2N7002K
- onsemi N-Kanal 250 mA 30 V SOT-363 NTJD4001NT1G
