Vishay 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4599DY Nej SI4599DY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 118,18

(ekskl. moms)

Kr. 147,72

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 9.520 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 5,909Kr. 118,18
200 - 480Kr. 4,552Kr. 91,04
500 - 980Kr. 3,841Kr. 76,82
1000 - 1980Kr. 3,546Kr. 70,92
2000 +Kr. 2,955Kr. 59,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3233
Producentens varenummer:
SI4599DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.8A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si4599DY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.045Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

JEDEC JS709A, RoHS

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Højde

1.55mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links