Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4599DY-T1-GE3

RS-varenummer:: 812-3233
Producentens varenummer:: SI4599DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4599DY-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 20)

Kr. 5,18

(ekskl. moms)

Kr. 6,48

(inkl. moms)

9820 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
20 - 180	Kr. 5,18	Kr. 103,60
200 - 480	Kr. 3,987	Kr. 79,74
500 - 980	Kr. 3,366	Kr. 67,32
1000 - 1980	Kr. 3,108	Kr. 62,16
2000 +	Kr. 2,592	Kr. 51,84

RS-varenummer:: 812-3233
Producentens varenummer:: SI4599DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Si4599DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	4,7 A, 6,8 A
Drain source spænding maks.	40 V
Kapslingstype	SOIC
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	8
Drain source modstand maks.	42,5 mΩ, 62 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	1.2V
Effektafsættelse maks.	3 W, 3,1 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	11,7 nC ved 10 V, 25 nC ved 10 V
Bredde	4mm
Længde	5mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Antal elementer per chip	2
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1.55mm

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4599DY-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor

Relaterede links