Vishay 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4599DY
- RS-varenummer:
- 812-3233
- Producentens varenummer:
- SI4599DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 36,30
(ekskl. moms)
Kr. 45,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 9.340 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 1,815 | Kr. 36,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3233
- Producentens varenummer:
- SI4599DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | Si4599DY | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.045Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.1W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC JS709A, RoHS | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie Si4599DY | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.045Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.1W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser JEDEC JS709A, RoHS | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type N MOSFET 8 Ben Si4599DY
- Vishay Type P-Kanal 8.1 A 30 V Forbedring SOIC, Si4435DDY
- Vishay Type P-Kanal 13.4 A 20 V Forbedring SOIC, Si4403CDY
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 30 V Forbedring SOIC, Si4431CDY
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type P MOSFET 8 Ben TrenchFET
- Vishay 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET