Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4435DDY Nej SI4435DDY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 37,94

(ekskl. moms)

Kr. 47,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.230 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 3,794Kr. 37,94
100 - 490Kr. 3,603Kr. 36,03
500 - 990Kr. 3,028Kr. 30,28
1000 - 2490Kr. 2,86Kr. 28,60
2500 +Kr. 2,657Kr. 26,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3339
Producentens varenummer:
SI4435DDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8.1A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si4435DDY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links