Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8.1 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4435DDY
- RS-varenummer:
- 919-0288
- Producentens varenummer:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 919-0288
- Producentens varenummer:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4435DDY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4435DDY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 8.1 A 30 V Forbedring SOIC, Si4435DDY
- Vishay Type P-Kanal 13.4 A 20 V Forbedring SOIC, Si4403CDY
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 30 V Forbedring SOIC, Si4431CDY
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET