Vishay P-Kanal, MOSFET, 8,1 A 30 V, 8 ben, SOIC SI4435DDY-T1-GE3

RS-varenummer:: 919-0288
Producentens varenummer:: SI4435DDY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay P-Kanal, MOSFET, 8,1 A 30 V, 8 ben, SOIC SI4435DDY-T1-GE3

Pris pr. stk. Pr. stk. (på Rulle á 2500)**

Kr. 1,838

(ekskl. moms)

Kr. 2,298

(inkl. moms)

1300 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
2500 +	Kr. 1,838	Kr. 4.595,00

RS-varenummer:: 919-0288
Producentens varenummer:: SI4435DDY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	8,1 A
Drain source spænding maks.	30 V
Kapslingstype	SOIC
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	8
Drain source modstand maks.	24 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	1V
Effektafsættelse maks.	2,5 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	4mm
Antal elementer per chip	1
Gate-ladning ved Vgs typisk	15 nC ved 4,5 V, 32 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Længde	5mm
Højde	1.5mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Vishay P-Kanal, MOSFET, 8,1 A 30 V, 8 ben, SOIC SI4435DDY-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor

Relaterede links