Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4431CDY Nej SI4431CDY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 100,62

(ekskl. moms)

Kr. 125,78

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 200 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 660 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 5,031Kr. 100,62
100 - 180Kr. 4,024Kr. 80,48
200 - 480Kr. 3,819Kr. 76,38
500 - 980Kr. 3,628Kr. 72,56
1000 +Kr. 3,415Kr. 68,30

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
812-3215
Producentens varenummer:
SI4431CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

7.2A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

Si4431CDY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

49mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-0.71V

Effektafsættelse maks. Pd

4.2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.55mm

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links