Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4431CDY
- RS-varenummer:
- 165-7252
- Producentens varenummer:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.912,50
(ekskl. moms)
Kr. 8.640,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,765 | Kr. 6.912,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-7252
- Producentens varenummer:
- SI4431CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si4431CDY | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 49mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.71V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.55mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si4431CDY | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 49mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.71V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.55mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 30 V Forbedring SOIC, Si4431CDY
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 8.1 A 30 V Forbedring SOIC, Si4435DDY
- Vishay Type P-Kanal 13.4 A 20 V Forbedring SOIC, Si4403CDY
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET