Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 13.4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4403CDY
- RS-varenummer:
- 121-9657
- Producentens varenummer:
- SI4403CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 49,44
(ekskl. moms)
Kr. 61,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.310 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 4,944 | Kr. 49,44 |
| 100 - 240 | Kr. 4,653 | Kr. 46,53 |
| 250 - 490 | Kr. 4,204 | Kr. 42,04 |
| 500 - 990 | Kr. 3,957 | Kr. 39,57 |
| 1000 + | Kr. 3,71 | Kr. 37,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 121-9657
- Producentens varenummer:
- SI4403CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4403CDY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.66V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4403CDY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.66V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 13.4 A 20 V Forbedring SOIC, Si4403CDY
- Vishay Type P-Kanal 8.1 A 30 V Forbedring SOIC, Si4435DDY
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 30 V Forbedring SOIC, Si4431CDY
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 8 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 17 A 40 V Forbedring SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
