Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 13.4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4403CDY Nej SI4403CDY-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 43,56

(ekskl. moms)

Kr. 54,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.440 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 4,356Kr. 43,56
100 - 240Kr. 4,099Kr. 40,99
250 - 490Kr. 3,703Kr. 37,03
500 - 990Kr. 3,489Kr. 34,89
1000 +Kr. 3,267Kr. 32,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
121-9657
Producentens varenummer:
SI4403CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13.4A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

Si4403CDY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-0.66V

Portkildespænding maks.

8 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

60nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.55mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links