Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 13.4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4403CDY Nej SI4403CDY-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 43,56

(ekskl. moms)

Kr. 54,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.440 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 4,356Kr. 43,56
100 - 240Kr. 4,099Kr. 40,99
250 - 490Kr. 3,703Kr. 37,03
500 - 990Kr. 3,489Kr. 34,89
1000 +Kr. 3,267Kr. 32,67

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
121-9657
Producentens varenummer:
SI4403CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13.4A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOIC

Serie

Si4403CDY

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

5W

Gennemgangsspænding Vf

-0.66V

Portkildespænding maks.

8 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

60nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.55mm

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links