Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 13.4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4403CDY Nej
- RS-varenummer:
- 169-5792
- Producentens varenummer:
- SI4403CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 6.035,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.545,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 2,414 | Kr. 6.035,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 169-5792
- Producentens varenummer:
- SI4403CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 13.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | Si4403CDY | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.66V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 60nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 13.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie Si4403CDY | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.66V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 60nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 13 8 ben, SOIC SI4403CDY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 8 ben, SOIC SI4435DDY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 8 ben, SOIC SI4909DY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 3 8 ben, SOIC SI9407BDY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 A 20 V SOIC SI9933CDY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 3 8 ben, SOIC SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 7 8 ben, SOIC SI4431CDY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 8 A 30 V SOIC SI4925DDY-T1-GE3
