Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.115,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.145,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,646Kr. 4.115,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-2751
Producentens varenummer:
SI9933CDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOIC

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

58mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

12 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Min. driftstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Højde

1.55mm

Længde

5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links