Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 165-2751
- Producentens varenummer:
- SI9933CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 165-2751
- Producentens varenummer:
- SI9933CDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 58mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Portkildespænding maks. | -12V, +12V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4mm | |
| Højde | 1.55mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 58mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Portkildespænding maks. -12V, +12V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4mm | ||
Højde 1.55mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 4 A 20 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 6.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 20.5 A 40 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay 2 N-Kanal Isoleret 7.5 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 2.3 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4.7 A 60 V Forbedring SOIC, Si9407BDY
- Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret 3.1 A 60 V Forbedring SOIC, TrenchFET