Vishay 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 6.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4599DY Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.427,50

(ekskl. moms)

Kr. 5.535,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 7.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,771Kr. 4.427,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-7255
Producentens varenummer:
SI4599DY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6.8A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

Si4599DY

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.045Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3.1W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Bredde

4 mm

Standarder/godkendelser

JEDEC JS709A, RoHS

Højde

1.55mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links