Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4599DY-T1-GE3

RS-varenummer:: 165-7255
Producentens varenummer:: SI4599DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4599DY-T1-GE3

Pris pr. stk. Pr. stk. (på Rulle á 2500)**

Kr. 2,076

(ekskl. moms)

Kr. 2,595

(inkl. moms)

9820 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
2500 +	Kr. 2,076	Kr. 5.190,00

RS-varenummer:: 165-7255
Producentens varenummer:: SI4599DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Si4599DY, N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	4,7 A, 6,8 A
Drain source spænding maks.	40 V
Kapslingstype	SOIC
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	8
Drain source modstand maks.	42,5 mΩ, 62 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	1.2V
Effektafsættelse maks.	3 W, 3,1 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Gate-ladning ved Vgs typisk	11,7 nC ved 10 V, 25 nC ved 10 V
Antal elementer per chip	2
Bredde	4mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Transistormateriale	Si
Længde	5mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1.55mm

Vishay N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 ben, SOIC SI4599DY-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor

Relaterede links