Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 660 mA 200 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101 BSP297H6327XTSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 257,85

(ekskl. moms)

Kr. 322,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 200 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 - 50Kr. 5,157Kr. 257,85
100 - 200Kr. 3,403Kr. 170,15
250 - 450Kr. 3,197Kr. 159,85
500 - 1200Kr. 2,991Kr. 149,55
1250 +Kr. 2,784Kr. 139,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-9272
Producentens varenummer:
BSP297H6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

660mA

Drain source spænding maks. Vds

200V

Emballagetype

SOT-223

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.8Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12.9nC

Gennemgangsspænding Vf

0.84V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.5 mm

Længde

6.5mm

Højde

1.6mm

Distrelec Product Id

304-44-414

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® Series MOSFET, 660 mA maksimal kontinuerlig drænstrøm, 1,8 W maksimal effektafledning - BSP297H6327XTSA1


Denne MOSFET er konstrueret til effektiv switching i forskellige elektroniske applikationer. Med en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 660 mA og en nedbrydningsspænding på 200 V er den velegnet til brug i forskellige miljøer. Dens overflademonterede design forenkler integrationen i automatiserede systemer, hvilket gør den anvendelig i både elektronik- og bilindustrien.

Egenskaber og fordele


• N-kanal-konfiguration forbedrer skifteeffektiviteten

• Lav gate-tærskelspænding sikrer kompatibilitet med logiske niveauer

• Høje spændingsværdier passer til en række anvendelser

• Forbedret strømspredning understøtter effektiv varmestyring

• AEC-Q101-kvalifikation overholder bilindustriens standarder

• Kompakt SOT-223-pakke understøtter pladsbesparende design

Anvendelsesområder


• Anvendes til motorstyring i bilsystemer

• Anvendt i strømstyring til forbrugerelektronik

• Bruges i batteristyringssystemer til energiregulering

• Anvendes til signalforstærkning i kommunikationsenheder

• Ideel til switch-mode strømforsyninger, der forbedrer effektiviteten

Hvad er den maksimale driftstemperatur for optimal ydelse?


Komponenten kan fungere effektivt ved temperaturer op til +150 °C, hvilket sikrer stabilitet ved høje temperaturer.

Hvordan skal MOSFET'en installeres for at få det bedste resultat?


Brug overflademonteringsteknologi til installation på et kompatibelt printkort, og sørg for korrekt lodning for at bevare forbindelsens integritet.

Hvilken type materiale er denne MOSFET lavet af?


Den er fremstillet af silicium (Si), hvilket bidrager til dens ydeevne og pålidelighed på tværs af forskellige anvendelser.

Kan den modstå svære spændingsforhold under drift?


Ja, den har en maksimal drain-source-nedbrydningsspænding på 200 V, hvilket gør den velegnet til højspændingsapplikationer.

Hvordan påvirker gate-ladningen dens ydeevne?


Den typiske samlede gate-ladning er 12,9nC ved 10V, hvilket sikrer hurtige skiftetider og forbedret kredsløbseffektivitet.

Relaterede links