STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 30 A 1200 V Forbedring, 7 Ben, HU3PAK, SCT AEC-Q101 SCT070HU120G3AG

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 600 enheder)*

Kr. 70.953,00

(ekskl. moms)

Kr. 88.691,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
600 +Kr. 118,255Kr. 70.953,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-241
Producentens varenummer:
SCT070HU120G3AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

30A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

SCT

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

63mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Effektafsættelse maks. Pd

23W

Portkildespænding maks.

22 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

3.5mm

Længde

18.58mm

Bredde

14 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links