Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 89 A 2000 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET repræsenterer en banebrydende løsning, der er designet til højtydende applikationer. Udviklet med avanceret .XT sammenkoblingsteknologi sikrer den optimal termisk styring og effektivitet, hvilket gør den velegnet til krævende miljøer. Med en robust kropsdiode udmærker MOSFET'en sig under hårde kommuteringsforhold, hvilket giver pålidelig drift i forskellige applikationer, herunder strenginvertere og opladningssystemer til elbiler. Dens imponerende specifikationer, herunder en kontinuerlig afløbsstrøm på op til 89 A, understreger dens evne til at håndtere betydelige effektbelastninger, mens dens lave koblingstab bidrager til den samlede systemeffektivitet. Denne enhed er blevet grundigt valideret til industrielle anvendelser, hvilket sikrer overholdelse af industristandarder og pålidelighed.

Fungerer ved højspænding på 2000 V