Infineon N-Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 348-899
- Producentens varenummer:
- IPD047N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 205,86
(ekskl. moms)
Kr. 257,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 10,293 | Kr. 205,86 |
| 200 - 480 | Kr. 9,777 | Kr. 195,54 |
| 500 + | Kr. 9,059 | Kr. 181,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 348-899
- Producentens varenummer:
- IPD047N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 71A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 71A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineons StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V-teknologi har klassens bedste RDS(on) på 4,7 mOhm i en DPAK-pakke. Dette produkt henvender sig til en bred vifte af applikationer fra lav til høj skiftefrekvens.
Produkter til generelle formål
Fremragende robusthed
Bred tilgængelighed hos distributører
Standardpakker og pin-out
Høje produktions- og leveringsstandarder
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 4.7 A 600 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 6 A 950 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 90 A 80 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 7 A 650 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 99 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 137 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 143 A 30 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PG-TO252-3, OptiMOS