Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej IPD60R180CM8XTMA1

RS-varenummer:: 348-988
Producentens varenummer:: IPD60R180CM8XTMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej IPD60R180CM8XTMA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 62,10

(ekskl. moms)

Kr. 77,60

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 12,42	Kr. 62,10
50 - 95	Kr. 11,804	Kr. 59,02
100 - 495	Kr. 10,92	Kr. 54,60
500 - 995	Kr. 10,068	Kr. 50,34
1000 +	Kr. 9,694	Kr. 48,47

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 348-988
Producentens varenummer:: IPD60R180CM8XTMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	18A
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Emballagetype	PG-TO252-3
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	0.18Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	17nC
	Effektafsættelse maks. Pd	127W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Emballagetype PG-TO252-3
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 0.18Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC
	Effektafsættelse maks. Pd 127W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - IPD60R180CM8XTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineons CoolMOS 8. generationsplatform er en revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er, designet efter super junction (SJ)-princippet og banebrydende for Infineon Technologies. 600V CoolMOS CM8-serien er efterfølgeren til CoolMOS 7. Den kombinerer fordelene ved en hurtigt skiftende SJ MOSFET med fremragende brugervenlighed, f.eks. lav tendens til ringning, implementeret hurtig kropsdiode til alle produkter med enestående robusthed over for hård kommutering og fremragende ESD-egenskaber. Desuden gør de ekstremt lave switching- og ledningstab i CM8 switching-applikationer endnu mere effektive.

Velegnet til hårde og bløde switching-topologier

Brugervenlighed og hurtigt design gennem lav tendens til ringning

Forenklet varmestyring takket være vores avancerede teknik til fastgørelse af matricer

Velegnet til en lang række anvendelser og effektområder

Løsninger med øget effekttæthed muliggøres ved at bruge produkter med mindre fodaftryk

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS Nej IPD60R180CM8XTMA1

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links