Infineon N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til kobling og strømkonvertering i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til krævende elektroniske miljøer, hvor robust spændingshåndtering og kompakt montering er påkrævet.

• 600 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 18 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• Lav modstand ved tænding på 0,18 Ω reducerer ledningstab i strømkredsløb
• 127 W maks. tab giver mulighed for højere effektgennemstrømning
• 20 V gate-tærskel understøtter standard gate-drivspændinger
• 17 nC typisk gate-ladning muliggør hurtig omskiftning med håndterbar drevenergi

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle skiftetrin for motordrev
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere i energistyringssystemer
• Kan bruges til inverterfrontender i vedvarende installationer
• Velegnet til kompakte strømmoduler til overflademontering

Den leveres i en TO-252-type pakke til overflademontering med tre ben til strømlinet kortmontering.

Enheden er klassificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og kan rumme høje samletemperaturer i termisk begrænsede design.

Driftskredsløb skal give op til 20 V gate-til-kilde-udflugt og tage hensyn til 17 nC gate-ladning ved dimensionering af driverstrøm og overgangstider.

Det er ikke specificeret, at det opfylder standarder for biler og bør evalueres i forhold til lovgivningsmæssige krav for biler, før det bruges i certificerede køretøjssystemer.