Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3725
- Producentens varenummer:
- SQM40022EM_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 6.688,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.360,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Udgår
- Sidste 800 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 8,36 | Kr. 6.688,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3725
- Producentens varenummer:
- SQM40022EM_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 150A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 11.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 150A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Bredde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 11.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® power MOSFET
Hus med lav termisk modstand
Relaterede links
- Vishay Siliconix N-Kanal 150 A 40 V Forbedring TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix N-Kanal 250 A 40 V Forbedring TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix N-Kanal 2 A 60 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N-Kanal Dobbelt 6 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N-Kanal Dobbelt 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 150 A 200 V Forbedring TO-263, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 150 A 100 V Forbedring TO-263, TrenchFET