Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 65.8 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 263,525

(ekskl. moms)

Kr. 329,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 10,541Kr. 263,53
50 - 100Kr. 8,964Kr. 224,10
125 - 225Kr. 7,905Kr. 197,63
250 - 600Kr. 6,858Kr. 171,45
625 +Kr. 6,319Kr. 157,98

*Vejledende pris

RS-varenummer:
200-6865
Producentens varenummer:
SiR106ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

65.8A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

83.3W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

52nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.15mm

Bredde

5.15 mm

Længde

5.15mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay SiR106ADP-T1-RE3 er en N-kanal 100 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links