Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 65.8 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 200-6865
- Producentens varenummer:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 310,125
(ekskl. moms)
Kr. 387,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 12,405 | Kr. 310,13 |
| 50 - 100 | Kr. 10,553 | Kr. 263,83 |
| 125 - 225 | Kr. 9,302 | Kr. 232,55 |
| 250 - 600 | Kr. 8,072 | Kr. 201,80 |
| 625 + | Kr. 7,438 | Kr. 185,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6865
- Producentens varenummer:
- SiR106ADP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83.3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.15mm | |
| Højde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83.3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.15mm | ||
Højde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SiR106ADP-T1-RE3 er en N-kanal 100 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tunet til den laveste RDS - Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 65.8 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 110 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 81 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV