STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Udtømning, 7 Ben, H2PAK, SCT Nej SCTH100N65G2-7AG
- RS-varenummer:
- 202-5481
- Producentens varenummer:
- SCTH100N65G2-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 189,99
(ekskl. moms)
Kr. 237,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 49 | Kr. 189,99 |
| 50 - 99 | Kr. 168,23 |
| 100 - 249 | Kr. 163,89 |
| 250 - 499 | Kr. 159,62 |
| 500 + | Kr. 155,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5481
- Producentens varenummer:
- SCTH100N65G2-7AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 95A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.02Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.8V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 162nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.8 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 95A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.02Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.8V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 162nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.8 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 98 A 650 V Depletion H2PAK-7, SCT SCTH100N65G2-7AG
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7AG
- GH50H65DRB2-7AG 108 A 650 V H2PAK-7 1
- STMicroelectronics N-Kanal 51 A 650 V H2PAK-7, STH65N STH65N050DM9-7AG
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V Depletion H2PAK-7, SCT SCTH40N120G2V7AG
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 650 V H2PAK-7, SCT SCT027H65G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V H2PAK-7, SCT SCT018H65G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 1200 V H2PAK-7, SCT SCT070H120G3-7