STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Udtømning, 7 Ben, H2PAK, SCT

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 206,52

(ekskl. moms)

Kr. 258,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 206,52
50 - 99Kr. 200,99
100 - 249Kr. 195,68
250 - 499Kr. 190,67
500 +Kr. 185,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5481
Producentens varenummer:
SCTH100N65G2-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

95A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCT

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.02Ω

Kanalform

Udtømning

Effektafsættelse maks. Pd

360W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

162nC

Gennemgangsspænding Vf

2.8V

Min. driftstemperatur

-65°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

15.25mm

Længde

10.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links