STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 95 A 650 V Udtømning, 7 Ben, H2PAK, SCT

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
202-5481
Producentens varenummer:
SCTH100N65G2-7AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

95A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCT

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

0.02Ω

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-65°C

Gennemgangsspænding Vf

2.8V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

162nC

Portkildespænding maks.

22V

Effektafsættelse maks. Pd

360W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.4mm

Højde

15.25mm

Bredde

4.8mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.